| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 31.2A | |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 1.3mA | |
| 漏源导通电阻 | 110mΩ @ 12.7A, 10V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 277.8W (Tc) | |
| 类型 | N沟道 |
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商品分类
半导体 晶体管
商品名称
IPB65R110CFDA
规格型号
IPB65R110CFDA
封 装
IPB65R110CFDA
品 牌
Infineon(英飞凌)
批 号
两年内
交 期
24小时
所在区域
大陆
