属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 69A(Tc) | |
栅源极阈值电压 | 4V @ 1.44mA | |
漏源导通电阻 | 33mΩ @ 28.9A,10V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 391W(Tc) | |
类型 | N沟道 |
好评率:100%
好评数量: 0 个
工作速度:0分
工作质量:0分
工作态度:0分
商品分类
半导体 晶体管
商品名称
IPT65R033G7
规格型号
IPT65R033G7
封 装
IPT65R033G7
品 牌
Infineon(英飞凌)
批 号
两年内
交 期
24小时
所在区域
大陆