属性 | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6.2A | |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | |
漏源导通电阻 | 30mΩ @ 10A,10V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 3.1W | |
类型 | N沟道 |
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工作速度:0分
工作质量:0分
工作态度:0分
商品分类
半导体 晶体管
商品名称
MTB030N10RQ8
规格型号
MTB030N10RQ8
封 装
MTB030N10RQ8
品 牌
CYSTECH(全宇昕)
批 号
两年内
交 期
24小时
所在区域
大陆