发布时间：2021-09-13 09:05:19 阅读量：1067次
近日在美国举办的Flash Memory Summit上，长江存储正式公布了在3D NAND构架上的最新技术——Xtacking。其主要特点是将周边电路放置在存储单元上，实现更高的存储密度，大幅度提高I/O接口的速度。据长江存储，采用Xtacking技术的存储芯片，I/O速度有望达到3Gbps，与DDR4存储器相当，但目前日韩制造商同类产品的速度约为1Gbps。
有关其Xtacking架构的关键细节，长江存储表示该架构将用于其即将推出的3D NAND闪存芯片。该技术涉及使用两个晶圆构建NAND芯片：一个晶圆包含基于电荷陷阱架构的实际闪存单元，另一个晶圆采用CMOS逻辑。
传统上，NAND闪存的制造商使用单一工艺技术在一个晶片上产生存储器阵列以及NAND逻辑（地址解码，页面缓冲器等）。相比之下，长江存储计划使用不同的工艺技术在两个不同的晶圆上制作NAND阵列和NAND逻辑，然后将两个晶圆粘在一起，使用一个额外的工艺步骤通过金属孔将存储阵列连接到逻辑上。
Xtacking架构旨在使NAND获得超快的I/O界面速度，同时最大化内存阵列的密度。据长江存储报道，其64层3D，NAND芯片的I/O界面速度为3，Gbps比三星最新V-NAND快2倍，比主流3DNAND快3倍。
从理论上讲，高I/O性能将使SSD供应商能够只用较少的NAND通道制作低容量SSD而不会影响性能，从而抵消了高传输率的低并行性。通过将控制逻辑定位在NAND内存阵列下方，长江内存表示，Xtacking结构允许最大化其3DNAND容量，最小化芯片的尺寸。
长江存储表示，由于存储密度的增大，可以抵消额外的逻辑晶圆成本，使用两个300毫米晶圆不会显着增加生产成本。与其他制造商一样，长江存储没有公开用于3D、NAND的光刻节点，只公布了使用XMC的工厂生产内存和逻辑，周边逻辑晶元使用180nm的工程加工。由于两种晶圆均采用成熟的制造工艺加工，长江存储不需要非常高的混合配套精度，将其粘合在一起形成互联通孔。
去年，长江存储曾经发布了一款32层3D NAND芯片，并表示将在今年推出48层版本。今年2月，一位华尔街(Wall Street)分析师表示，长江存储的32层NAND芯片产量仍然非常低，显示可能还需要几个月的时间才会推出48层组件。
一般来说，存储颗粒制造商倾向于将模具尺寸保持在较低的水平，以提高竞争力和盈利能力。对于2D NAND来说，在涉及到通常的Gb/mm²指标时，抛开所有复杂性和产率，较小的芯片会让晶圆成本分散在更多芯片上，进而在成本方面获胜。
随着晶片在化学气相沉积(CVD)机械上花费更多时间，3DNAND技术变得更加复杂，晶片厂加工的晶片数量和晶片本身的尽管如此，对于长江存储这样的公司来说，通过将控制逻辑放在存储数组中，最大化NAND密度。
长江存储表明，由Xtacking结构制成的芯片将用于“通用闪存”(UFS)和智能手机、PC和数据中的客户和固态硬盘。该公司声称得到客户、行业合作伙伴和标准组织的合作，期待开放高性能NAND解决方案的新篇章。”
