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DRAM产值Q3再创新高 惟原厂获利恐已触顶

发布时间:2021-06-03 08:40:19 阅读量:266次

  据TrendForce内存研究(DRAMeXchange)调查,2018年第三季度DRAM整体产业收入比上季度增长9%,刷新了过去最高纪录。观察各产品的其他报价趋势,除了图像内存(graphic-DRAM)受到虚拟采矿(cryptocurency)的需求急剧减少和基础期过高的影响外,还出现了3%左右的下跌幅度,消费市场应用的主流DDR3因需求减弱而首次下跌,其馀主流应用的其他内存(包括标准型、服务器、行动型内存)kDkesmc

DRAMeXchange指出,过去两年以上的收益增长主要是由报价上涨引起的,DRAM的生产能力在下半年持续,第三季度的价格上涨幅度几乎接近平均,因此收益增长主要来自持续增长。展望第四季度,10月份的DRAM合同价格正式下跌,除了宣布DRAM价格上涨告一段落外,供给过于需求和高库存水位的影响价格下跌幅度变大。在供应方、通道方、采购方库存尚未完全消失之前,预计2019年第一季度的合同价格将面临更大的下跌压力。

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  从收益的观点来看,DRAMeXchange指出,当产业逆转时,小工厂受到的冲击比领导工厂实时激烈,大小工厂的表现从第三季度开始分歧。产业领先的三星利用新的生产能力逐渐释放,发货成长显着,平均销售单价没有明显变化,但收入比上季度增长13.6%,达到127.3亿美元的最高,在三大工厂最引人注目。SK海力士在生产上升和平均销售单价小幅上升1%的插件下,收益季节从6.0%增加到81亿5千万美元。两大韩国工厂的收益市分别为45.5%和29.1%,合计约为74.6%。

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  美光集团仍保持第三位,销售单价略平,但上市收入59.2亿美元,比上一季度增长6.8%,市场率约为21.1%。

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  观察工厂的利润能力,即使第三季度平均销售单价的上涨幅度大幅度收敛,各工厂也继续转向先进工艺优化成本结构,营业利润率仍然比前一季度上升。三星的1Ynm从第三季度开始发货,由于下一代工程在批量生产初期良好率低,部分利润表现受到影响,三星的营业利润率在三大工厂中增长幅度最小,上一季度的69%微幅上升到70%,但历史最高

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  关于SK海力士,本季度1Xnm的良率显着提高,营业利润率从63%增加到66%美光受益1Xnm的比重持续上升,营业利润率从60%上升到62%。三大工厂的营业利润率继续刷新记录,但第四季度DRAM价格正式逆转,下跌幅度显着的情况下,成本优化可能无法抵消报价下跌的冲击,因此工厂利润的高度可能会结束。

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  从技术方面来看,三星今年除了维持1Xnm工艺的高产出比重外,一部分Line17增加的投影和平泽工厂二楼的DRAM生产能力将转向下一代1Ynm工艺。随着平泽工厂的生产能力在今年下半年陆续开放,1X分1Ynm的生产比例在年底达到70%,2019年持续提高1Ynm的比例。SK海力士经过两个季度的调整和改良,1Xnm良率在第三季度显着提高,中国无锡第二个12英寸工厂将在年底前完成,2019上半年开始贡献生产,但受中美贸易战的影响,无锡工厂扩大投影的步伐不太积极。在美光方面,台湾美光内存(原瑞晶)全部以1Xnm生产,下一步直接转移到1Znm,但实际贡献在2020年台湾美光晶圆技术(原华亚科)在第二季度进行了20nm到1Xnm的转换,到年底转移到1Ynm

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  台系制造商部分,南亚科第三季度出货量小幅下降,收入比前一季度下降3.7%。但是,由于20nm的性价比,营业利润率从上一季度的46.8%大幅度上升到51.0%。但是,受DRAM报价逆转的影响,南科扩张工厂的折旧费用开始分配,利润能力再次上升可能有压力。

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  力晶技术方面,由于第三季度将大量生产能力转移到利润较高的SLCNAND和非DRAM代理产品,因此本身的DRAM收入比上季度下降了13.3%,华邦DRAM营业额略平,出货量和平均销售单价稳定。

  

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